广东长兴半导体科技有限公司张治强获国家专利权
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龙图腾网获悉广东长兴半导体科技有限公司申请的专利一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119742237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411822095.5,技术领域涉及:H01L21/50;该发明授权一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法及系统是由张治强;卢冠华;郭东林;陈宝纯设计研发完成,并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法及系统在说明书摘要公布了:本发明涉及芯片封装技术领域,揭露了一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法,包括:获取待封装存储芯片,对待封装存储芯片进行芯片品质划分,得到目标芯片,对目标芯片进行细分类,得到多组芯片;对多组划分芯片进行厚度优化,得到厚度优化芯片,对厚度优化芯片进行芯片精选,得到精选芯片;对精选芯片进行材料涂覆,得到涂覆芯片,对涂覆芯片进行芯片固化,得到固化芯片,对固化芯片进行芯片堆叠,得到堆叠芯片;对堆叠芯片进行三维建模,以对堆叠芯片进行点胶路径规划,得到点胶路径,对堆叠芯片进行芯片加固,得到加固芯片;对加固芯片进行内部互连、初步封装及外壳注塑,得到封装芯片。本发明可以提高超薄多层存储芯片封装质量。
本发明授权一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法,其特征在于,所述方法包括: 获取待封装存储芯片,对所述待封装存储芯片进行光学扫描,得到扫描图像,利用所述扫描图像,分析所述待封装存储芯片的表面瑕疵度和电路完整性,基于所述表面瑕疵度和所述电路完整性,对所述待封装存储芯片进行芯片品质划分,提取芯片品质划分后符合预设品质的芯片,得到目标芯片,利用所述扫描图像识别所述目标芯片的芯片厚度和焊盘分布状态,基于所述芯片厚度和所述焊盘分布状态,对所述目标芯片进行细分类,得到多组芯片; 利用预配置的厚度传感器,测量所述多组芯片中每组芯片的芯片厚度,得到厚度测量数据,利用所述厚度测量数据,构建所述多组芯片的优选厚度区间,基于所述优选厚度区间,对所述多组芯片进行厚度优化,得到厚度优化芯片,对所述厚度优化芯片进行质量检测,根据所述质量检测的检测结果,对所述厚度优化芯片进行芯片精选,得到精选芯片; 查询所述精选芯片的材料参数,并基于所述材料参数,配置所述精选芯片的中间层材料,利用所述中间层材料,对所述精选芯片进行材料涂覆,得到涂覆芯片,利用预配置的固化特性曲线,对所述涂覆芯片进行芯片固化,得到固化芯片,识别所述固化芯片的标识属性和中间层位置,基于所述标识属性和所述中间层位置,对所述固化芯片进行堆叠路径规划,得到规划路径,基于所述规划路径,对所述固化芯片进行芯片堆叠,得到堆叠芯片; 查询所述堆叠芯片的堆叠结构,并基于所述堆叠结构,对所述堆叠芯片进行三维建模,得到堆叠芯片模型,利用所述堆叠芯片模型,对所述堆叠芯片进行点胶路径规划,得到点胶路径,基于所述点胶路径,对所述堆叠芯片进行芯片加固,得到加固芯片; 查询所述加固芯片的三维模型和电路布局信息,以对所述加固芯片进行内部互连,得到链接芯片,查询所述链接芯片的堆叠参数和填充需求,以对所述链接芯片进行初步封装,得到初步封装芯片,识别所述初步封装芯片的工艺参数,基于所述工艺参数,对所述初步封装芯片进行外壳注塑,得到封装芯片。
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