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龙图腾网获悉南京大学;西安应用光学研究所申请的专利一种有效降低电学信号串扰的复合介质栅光敏探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120614887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120923.5，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种有效降低电学信号串扰的复合介质栅光敏探测器是由沈凡翔;余苏霖;侯军占;王凯;刘鑫;潘亦凡;闫锋设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有效降低电学信号串扰的复合介质栅光敏探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有效降低电学信号串扰的复合介质栅光敏探测器，属于成像探测技术领域。通过对光敏探测器中背面深槽隔离结构的各个隔离介质层组成进行特别设计，利用热干氧氧化生长方式生长的二氧化硅，或是未经掺杂以及钝化处理的氧化铪，在背面深槽隔离结构与P型半导体衬底之间引入正电性界面状态，有效抑制了光电子在复合介质栅光敏探测器之间的漂移和扩散运动；利用经过钝化处理的原子层淀积形成的氧化铝，在背面深槽隔离结构与P型半导体衬底之间引入负电性界面状态，在保证了复合介质栅光敏探测器的量子效率的同时很好地抑制了不同光敏探测器之间的信号串扰。

本发明授权一种有效降低电学信号串扰的复合介质栅光敏探测器在权利要求书中公布了：1.一种有效降低电学信号串扰的复合介质栅光敏探测器，其特征在于，所述光敏探测器的正面通过浅沟槽隔离结构实现相邻光敏探测器单元之间的物理隔离以及同一光敏探测器单元中MOSFET部分和MOS-C部分之间的物理隔离，所述光敏探测器的背面通过深槽隔离结构实现两个相邻光敏探测器单元之间的光学和电学隔离；其中，所述深槽隔离结构包括梯形深槽，沿着梯形深槽底部生长的与P型硅衬底直接接触的第一隔离介质层，沿着梯形深槽侧边生长的与P型硅衬底直接接触的第二隔离介质层和沿着第一隔离介质层与第二隔离介质层生长并完全填充满梯形深槽的第三隔离介质层；所述第一隔离介质层的材料为能够使得其与P型硅衬底之间产生正电性界面态的材料，从而在P型硅衬底内形成第一耗尽区； 所述第一隔离介质层的材料为热干氧氧化生长方式生长的二氧化硅，或者是未经过掺杂和钝化处理的原子层淀积形成的氧化铪； 所述第二隔离介质层的材料为能够使得其与P型硅衬底之间产生负电性界面态的材料，从而在P型硅衬底内形成积累区。

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