苏州欣威晟电子科技有限公司何威威获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州欣威晟电子科技有限公司申请的专利半导体用微纳结构喷淋盘及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120700492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511180028.2，技术领域涉及：C23C28/04；该发明授权半导体用微纳结构喷淋盘及其制作方法是由何威威设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体用微纳结构喷淋盘及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体用微纳结构喷淋盘及其制作方法。所述半导体用微纳结构喷淋盘包括喷淋盘基体，形成在盘面上的粗化结构，以及覆设在盘面及粗化结构上的复合涂层。喷淋盘基体的盘面上离散分布有多个喷淋孔。所述粗化结构包括沿盘面周期性分布的多个菱形突起。复合涂层包括沿远离盘面的方向依次设置的超薄氧化铝层、超薄铝掺杂氧化锡层、ATO层和氟掺杂氧化锡层，超薄铝掺杂氧化锡层共形沉积在超薄氧化铝层上。本发明的半导体用微纳结构喷淋盘具有复合涂层与基底结合牢固，加热均匀等优点。
本发明授权半导体用微纳结构喷淋盘及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体用微纳结构喷淋盘的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供喷淋盘基体，所述喷淋盘基体的盘面上离散分布有多个喷淋孔； S2、采用激光加工方式在所述喷淋盘基体的盘面上加工形成粗化结构，所述粗化结构包括沿所述盘面周期性分布的多个菱形突起，所述菱形突起的边长为1~5μm、高度为0.2~5μm、间距为1~5μm； S3、在含氧气氛中对经步骤S2处理后的所述盘面进行退火处理，退火温度为250℃以上，退火时间在30s以内，从而在所述盘面上形成厚度为2~5nm的超薄氧化铝层； S4、在所述超薄氧化铝层上共形沉积厚度为10~150nm的超薄铝掺杂氧化锡层作为过渡层； S5、在所述超薄铝掺杂氧化锡层上沉积厚度为30~300nm的ATO层； S6、在所述ATO层上沉积厚度为10~150nm的氟掺杂氧化锡层，从而在所述喷淋盘基体的盘面上形成复合涂层。
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