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龙图腾网获悉深圳大深传感科技有限公司;三峡大学申请的专利一种低功耗基准电流源集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120723007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511186869.4，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种低功耗基准电流源集成电路是由宋凯骐;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗基准电流源集成电路在说明书摘要公布了：本发明提出了一种低功耗基准电流源集成电路，通过工作于弱反型区的级联MOS管分别产生与绝对温度成正比和反比的两种电流，并通过电流叠加产生不受温度影响的基准电流；本发明包括正比电流电路和基准输出电路；正比电流电路在稳定偏置电流条件下产生与绝对温度成正比的电流Ipt并输出到基准输出电路中；基准输出电路产生与绝对温度成反比的电流Ict，并将与绝对温度成反比的电流Ict和与绝对温度成正比的电流Ipt进行合并，以产生不受温度影响的基准电流Iref；本发明的电路结构简单，电路中主要MOS管对工作电压要求极低，表现出良好的节能性。

本发明授权一种低功耗基准电流源集成电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗基准电流源集成电路，其特征在于，包括正比电流电路1和基准输出电路2； 正比电流电路与基准输出电路2连接，正比电流电路1通过端口连接，向基准输出电路2输出与绝对温度成正比的电流Ipt； 基准输出电路2产生与绝对温度成反比的电流Ict，并将与绝对温度成反比的电流Ict和与绝对温度成正比的电流Ipt进行合并，以产生不受温度影响的基准电流Iref； 基准输出电路2通过端口将基准电流输出，并通过三阶负反馈环路维持基准电流的稳定； 正比电流电路1包括稳定偏置电路11和电流生成电路12； 稳定偏置电路11与电流生成电路12连接，稳定偏置电路11产生不受电源波动影响的偏置电流Ibs，并传输到电流生成电路12中；电流生成电路12产生与绝对温度成正比的电流Ipt并输出； 稳定偏置电路11包括抗干扰电路111和偏置电流电路112； 抗干扰电路111与偏置电流电路112相连接，在电源电压发生跌落时，抗干扰电路111通过对MOS管M4的栅源极寄生电容进行充电，而MOS管M2的栅源极寄生电容基于MOS管M3的连接结构进行放电，来维持偏置电流电路112相关MOS管的正常工作电压；偏置电流电路112基于自偏置结构产生偏置电流Ibs，并输出到电流生成电路12中； 抗干扰电路111包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4； MOS管M2的漏极连接MOS管M1的漏极，MOS管M2的栅极连接MOS管M5的栅极，MOS管M2的源极接地,MOS管M3的漏极连接MOS管M1的栅极，MOS管M3的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M3的源极连接MOS管M2的栅极,MOS管M4的源极连接电源VDD，MOS管M4的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M4的漏极连接MOS管M5的漏极； 偏置电流电路112包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6； MOS管M1的源极连接MOS管M4的源极，MOS管M1的栅极连接MOS管M4的栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的漏极,MOS管M2的漏极连接MOS管M1的漏极，MOS管M2的栅极连接MOS管M5的栅极，MOS管M2的源极接地，MOS管M4的源极连接电源VDD，MOS管M4的栅极连接MOS管M4的漏极，MOS管M4的漏极连接MOS管M5的漏极,MOS管M5的漏极连接MOS管M4的栅极，MOS管M5的栅极连接MOS管M2的漏极，MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极,MOS管M6的漏极连接MOS管M5的源极，MOS管M6的栅极连接MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极接地。

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