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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利基于纳米量子光敏材料的气体绝缘设备局部放电光学信号模拟方法与系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120741906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511161067.8，技术领域涉及：G01R1/28；该发明授权基于纳米量子光敏材料的气体绝缘设备局部放电光学信号模拟方法与系统是由臧奕茗;周雨菡;李卓潇;谢子恒;江秀臣设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于纳米量子光敏材料的气体绝缘设备局部放电光学信号模拟方法与系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于纳米量子光敏材料的气体绝缘设备局部放电光学信号模拟方法与系统，该方法包括：采集局部放电光信号并提取光谱特征；构建多波长紫外LED阵列280nm、310nm、355nm、395nm，采用纳秒级脉冲驱动模拟瞬态特性；优化配置ZnCdS、CdSe和CdTe纳米量子光敏复合溶液，通过旋涂工艺制备50‑200nm纳米量子光敏薄膜；集成LED阵列与纳米量子光敏薄膜形成模拟系统。本发明创新性地结合纳米量子光敏材料的光学特性和多波长LED阵列，实现了对局部放电全波段光谱的高精度模拟，解决了传统高压放电实验风险高、成本大的问题。该系统可在常压下安全模拟各类绝缘缺陷放电光谱，为局部放电光学检测设备的研发和标定提供了可靠平台。

本发明授权基于纳米量子光敏材料的气体绝缘设备局部放电光学信号模拟方法与系统在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米量子光敏材料的气体绝缘设备局部放电光学信号模拟方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.采集GIS设备中不同类型局部放电产生的原始光信号Irawt，进行快速傅里叶变换得到频谱Fω，并进行归一化处理得到目标模拟光谱Inormλ； S2.根据步骤S1获得的目标模拟光谱，构建多波长紫外LED阵列，该阵列包括用于模拟原生紫外辐射的280nm、310nm、355nm三种LED和用于激发纳米量子光敏的395nmLED，其中395nmLED构成独立激发区，其余波段LED采用交错混合分布以提升光谱连续性； S3.根据步骤S1获得的目标光谱，通过权重积分模型确定ZnCdS、CdSe和CdTe的配比，制备纳米量子光敏溶液； S4.采用旋涂工艺在石英玻璃基底上旋涂所述纳米量子光敏溶液，形成纳米量子光敏薄膜层； S5.将所述纳米量子光敏薄膜层与步骤S2构建的LED阵列集成组装，确保395nm激发光均匀照射纳米量子光敏薄膜层，形成光谱模拟系统； S6.测量所述光谱模拟系统，利用光谱仪测量输出光谱Isimλ，计算其与步骤S1获得的目标光谱Irefλ的归一化相关系数S，通过调节LED驱动参数和薄膜特性，使S值最大化。

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