瑞萨电子株式会社内田慎一获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108735735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810338146.5，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体装置及其制造方法是由内田慎一;中柴康隆;饭田哲也;桑原慎一设计研发完成，并于2018-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其实现变压器的绝缘耐压的提高，而不会导致制造工序的复杂化。半导体装置的制造方法包括如下工序：使形成于层间绝缘膜IL4上的导体膜图案化，在形成相互同层的线圈CL1b和导体图案CP之后，将线圈CL1b和导体图案CP作为掩模来对层间绝缘膜IL4的一部分进行蚀刻，而在层间绝缘膜IL4的表面形成凹凸形状US。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，能够利用电感耦合进行信号传送，所述半导体装置的特征在于， 所述半导体装置包括第1半导体芯片， 所述第1半导体芯片具备： 第1层间绝缘膜； 布线层，形成于所述第1层间绝缘膜上； 第2层间绝缘膜，覆盖所述布线层，且形成于所述第1层间绝缘膜上，该第2层间绝缘膜跨越所述布线层和所述第1层间绝缘膜这两个层； 第1电感器，形成于所述布线层；以及 导体图案，形成于所述布线层， 在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间，形成有凹凸形状， 所述凹凸形状包括彼此相邻的凸部和凹部，所述凸部和所述凹部位于所述第1层间绝缘膜， 在所述凸部上配置有所述导体图案， 在半导体基板的上方形成所述第1层间绝缘膜，在所述第1层间绝缘膜上形成导体膜，通过使所述导体膜图案化，而在第1区域形成所述第1电感器，并且在第2区域形成所述导体图案，通过将图案化后的所述导体膜作为掩模来对所述第1层间绝缘膜的一部分进行蚀刻，而在所述第1层间绝缘膜的表面形成所述凹凸形状，覆盖图案化后的所述导体膜，并且在形成有所述凹凸形状的所述第1层间绝缘膜的表面上形成所述第2层间绝缘膜。
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