三星电子株式会社梁起豪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括接触件和与接触件侧壁交界的导电线的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910795799.0，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权包括接触件和与接触件侧壁交界的导电线的半导体装置是由梁起豪设计研发完成，并于2019-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括接触件和与接触件侧壁交界的导电线的半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置，包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一介电层和第二介电层；接触件，其穿透第一介电层并朝向衬底延伸；以及导电线，其设置在第二介电层中并电连接到接触件。导电线在第一方向上延伸。接触件包括位于第一介电层中的下段和位于第二介电层中的上段。导电线在第二方向上的宽度随着距衬底的距离减小而减小。第二方向与第一方向相交。接触件的上段的侧壁与导电线接触。
本发明授权包括接触件和与接触件侧壁交界的导电线的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底； 顺序地堆叠在所述衬底上的第一介电层和第二介电层； 接触件，其穿透所述第一介电层并朝向所述衬底延伸，所述接触件包括位于所述第一介电层中的下段和位于所述第二介电层中的上段；以及 导电线，其在所述第二介电层中在第一方向上延伸，并电连接到所述接触件， 其中，所述接触件的上段的侧壁与所述导电线接触， 其中，所述接触件的上段在第二方向上的宽度随着距所述衬底的距离减小而增大， 其中，所述导电线在所述第二方向上的宽度随着距所述衬底的距离减小而减小， 其中，所述导电线在所述第二方向上的最小宽度小于所述接触件的上段在所述第二方向上的最大宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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