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大连交通大学郭方准获国家专利权

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龙图腾网获悉大连交通大学申请的专利高能量离子源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112086330B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011080535.6,技术领域涉及:H01J3/04;该发明授权高能量离子源是由郭方准;石晓倩;朱美强设计研发完成,并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

高能量离子源在说明书摘要公布了:本发明提供一种高能量离子源。本发明涉及超高真空设备开发领域。高能量离子源主要由离子聚焦机构、离子产生与引导机构、电子发射机构、氩气进入机构和角度可调机构组成。在这个核心构造里要产生氩离子,并完成对离子的加速和聚焦。本发明的离子产生与引导机构是由引出上覆盖栅网构成,该引导孔相对于氩离子处于负电压,电压值在数百至数千伏特之间可调。离子引导孔不仅可以加速氩离子,也可以约束离子束流的指向;本发明的离子聚焦机构采用三个互相绝缘的静电透镜,通过调节中间透镜可变电阻来调节离子束,进行进一步的约束;本发明的角度可调机构采用还可保证进气管与进气孔同轴心调形成团簇原子。本发明能够很好地约束离子束流的指向。

本发明授权高能量离子源在权利要求书中公布了:1.一种高能量离子源,其特征在于,包括离子聚焦机构、离子产生与引导机构、电子发射机构和氩气进入机构,所述氩气进入机构的输出端与准备腔室相连,所述氩气进入机构用于将氩气采用脉冲方式通入到准备腔室中,所述准备腔室的上方通过第二进气孔与电子发射机构相连,所述电子发射机构包括离子发生网和用于通电释放出热电子的灯丝,所述电子发射机构用于通过灯丝与离子发生网之间存在的电位差将电子束缚在离子发生网内部,所述离子产生与引导机构包括设置于所述电子发射机构输出端的引出极,其相对于氩离子处于负电压,所述离子产生与引导机构的输出端与离子聚焦机构相连,所述离子聚焦机构包括聚焦透镜,其用于对经过电子发射机构、离子产生与引导机构的离子束进一步约束; 还包括角度调节机构,所述角度调节机构用于将第一进气孔和第二进气孔调整为同轴,具体为XY工作台,通过2个角度旋钮的调节; 所述灯丝包括直径为0.125mm的钽丝,处于负高压,两端与灯丝杆相连; 所述氩气进入机构用于将氩气采用脉冲方式通过第一进气口通入到准备腔室中,气体膨胀会冷却形成团簇原子,最后形成团簇离子源; 离子能量最高达到20kv,束流强度达到50mA; 电子发射机构的输入端、输出端均安装有法兰,所述第二进气孔与法兰连接,法兰的外侧套接有外罩;电子发射机构的输入端通过支撑杆安装在绝缘底座上,整体的外部套接有腔室外罩,该腔室与所述准备腔室相连,腔室的上、下方均安装有法兰,所述第二进气孔与下法兰连接,法兰的外侧套接有外罩。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人大连交通大学,其通讯地址为:116028 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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