湖北九峰山实验室李程程获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310038378.X，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法是由李程程;吴畅;刘捷龙;郭涛;刘安;王凯;吴佳燕设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法，包括如下步骤：制备欧姆接触区纳米图形母版，采用热压印将母版图形复制到软聚合物薄膜上，得到中间软模版；在GaN基晶圆势垒层表面匀涂一层纳米压印胶；将中间软模版置于纳米压印胶表面，利用纳米压印技术将纳米图形转移至纳米压印胶上；采用感应耦合等离子体ICP刻蚀技术去除纳米图形底部的纳米压印胶残胶，暴露出势垒层；采用干法刻蚀技术将势垒层完全刻蚀去除，并刻蚀至二维电子气以下，形成纳米开孔阵列；去除晶圆表面剩余的纳米压印胶；在源漏区依次沉积多层无金欧姆金属，在500～700℃下进行合金退火处理，形成源漏电极。本发明能够有效降低欧姆接触电阻，提高HEMT器件频率特性。
本发明授权一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基HEMT低阻无金欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.制备欧姆接触区纳米图形母版，采用热压印将母版图形复制到软聚合物薄膜上，得到中间软模版； S2.在GaN基晶圆势垒层表面匀涂一层纳米压印胶； S3.将中间软模版置于纳米压印胶表面，利用纳米压印技术将纳米图形转移至纳米压印胶上； S4.采用ICP刻蚀技术去除纳米图形底部的纳米压印胶残胶，暴露出势垒层； S5.采用干法刻蚀技术将势垒层完全刻蚀去除，并刻蚀至二维电子气以下，形成纳米开孔阵列； S6.去除晶圆表面剩余的纳米压印胶； S7.在源漏区依次沉积多层无金欧姆金属，在500～700℃下进行合金退火处理，形成源漏电极。
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