深圳平湖实验室米天和获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511021876.9，技术领域涉及：H10D64/66；该发明授权半导体器件及其制备方法、芯片是由米天和;王鹏;王启璋;崔新春;胡浩林;张道华设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电极与金刚石衬底表面的粘附性较差问题；所述半导体器件包括金刚石衬底、介质层、电极和栅极；介质层设于金刚石衬底的一侧；栅极设于介质层远离金刚石衬底的一侧；电极设于金刚石衬底的一侧，且与介质层位于金刚石衬底的同一侧；电极包括第一电极和第二电极，介质层至少部分设于第一电极和第二电极之间；栅极设于所述介质层远离金刚石衬底的一侧；其中，电极包括第一金属层；第一金属层的材料包括：第一金属和第一金属的金属碳化物，第一金属的金属碳化物位于第一金属层靠近金刚石衬底的一侧。
本发明授权半导体器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 金刚石衬底； 介质层，设于所述金刚石衬底的一侧； 栅极，设于所述介质层远离所述金刚石衬底的一侧；以及， 电极，设于所述金刚石衬底的一侧，且与所述介质层设于所述金刚石衬底的同一侧；所述电极包括第一电极和第二电极，所述介质层至少部分设于所述第一电极和所述第二电极之间； 其中，所述电极包括第一金属层；所述第一金属层的材料包括：第一金属和所述第一金属的金属碳化物；所述第一金属的金属碳化物位于所述第一金属层靠近所述金刚石衬底的一侧；所述介质层设有过孔，所述电极位于所述过孔内，且所述电极的侧壁与所述介质层接触；所述电极还覆盖所述过孔的侧壁，并覆盖所述介质层远离所述金刚石衬底的部分表面；所述第一金属包括：Ti、W、Cr和Mo中的至少一种，且不包括Au。
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