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龙图腾网获悉浙江谷蓝电子科技有限公司申请的专利一种Si IGBT与SiC Mosfet混合并联的双脉冲测试电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223551835U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422849600.7，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种Si IGBT与SiC Mosfet混合并联的双脉冲测试电路是由周智阳设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Si IGBT与SiC Mosfet混合并联的双脉冲测试电路在说明书摘要公布了：本实用新型为一种SiIGBT与SiCMosfet混合并联的双脉冲测试电路，包括测试电路以及设置在测试电路上的母线电容，母线电容通过高压源提供的母线电压加在母线电容上，所述测试电路上与母线电容并联的线路上分别设置有上桥元件和下桥元件，上桥元件由SiIGBT和SiCMosfet组成，SiIGBT的Q1端和SiCMosfet的M1端作为开关管，所述下桥元件也由SiIGBT和SiCMosfet组成，其SiIGBT的Q2端和SiCMosfet的M2端并联有信号源，通过信号源给于上桥元件Q1端提供双脉冲驱动信号VGE，给上桥元件M1端提供双脉冲驱动信号VGS，从而测试出上桥元件中Q1端、M1端的开关特性以及下桥元件Q2端、M2端的反向恢复特性。

本实用新型一种Si IGBT与SiC Mosfet混合并联的双脉冲测试电路在权利要求书中公布了：1.一种SiIGBT与SiCMosfet混合并联的双脉冲测试电路，包括测试电路1以及设置在测试电路1上的母线电容2，母线电容2通过高压源提供的母线电压3加在母线电容2上，其特征在于：所述测试电路1上与母线电容并联的线路上分别设置有上桥元件4和下桥元件5，所述上桥元件4由SiIGBT硅功率晶体管6和SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管7组成，SiIGBT硅功率晶体管6的Q1端和SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管7的M1端作为开关管，所述下桥元件5也由SiIGBT硅功率晶体管和SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管组成，其SiIGBT硅功率晶体管的Q2端和SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的M2端并联有信号源，且M2端、Q2端保持关闭，通过信号源对上桥元件4Q1端提供双脉冲驱动信号VGE，给上桥元件M1端提供双脉冲驱动信号VGS，从而测试出上桥元件4中Q1端、M1端的开关特性以及下桥元件5Q2端、M2端的反向恢复特性。

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