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龙图腾网获悉浙江谷蓝电子科技有限公司申请的专利一种可快速调整SiC Mosfet双脉冲开关速度的测试电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223551836U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422868904.8，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种可快速调整SiC Mosfet双脉冲开关速度的测试电路是由周智阳设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可快速调整SiC Mosfet双脉冲开关速度的测试电路在说明书摘要公布了：本实用新型为一种可快速调整SiCMosfet双脉冲开关速度的测试电路，包括测试电路以及设置在测试电路上的母线电容，母线电容通过高压源提供的母线电压加在母线电容上，所述母线电容的并联电路上分别设置有上桥元件、下桥元件和电感L3，所述上桥元件由SiCMosfet和信号源组成，且SiCMosfet的M1端保持关闭，下桥元件由SiCMosfet和用于控制半导体场效应管的驱动PCB板，驱动PCB板上依次设置有电感L2、电阻R1以及信号控制PWM，SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的M2端作为开关管。本实用新型在不改变功率器件模块布局去前提下，通过改变驱动板与功率器件模块栅极回路之间连接的电感，来调整器件的开关速度。

本实用新型一种可快速调整SiC Mosfet双脉冲开关速度的测试电路在权利要求书中公布了：1.一种可快速调整SiCMosfet双脉冲开关速度的测试电路，包括测试电路1以及设置在测试电路1上的母线电容2，母线电容2通过高压源提供的母线电压3加在母线电容2上，其特征在于：所述母线电容2的并联电路上分别设置有上桥元件4、下桥元件5和电感L3，所述上桥元件4由SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管6和信号源组成，且SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管6的M1端保持关闭，所述下桥元件5由SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和用于控制半导体场效应管的栅极回路组成，在栅极回路上依次设置有电感L2、电阻R1以及信号控制PWM，SiCMosfet碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管6的M2端作为开关管，信号源用于给下桥元件5的M2端提供双脉冲驱动信号VGS，从而测试出下桥元件5M2端的开关特性以及上桥元件4的M1端的反向恢复特性。

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