武汉国科光领半导体科技有限公司姚广峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种用于电吸收调制器的高速基板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223551976U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423290471.9，技术领域涉及：G02F1/01；该实用新型一种用于电吸收调制器的高速基板是由姚广峰;付文锋设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于电吸收调制器的高速基板在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种用于电吸收调制器的高速基板，包括复合基板，所述复合基板上方的一侧设置有射频电极，所述射频电极通过金线与电吸收调制器的电极连接；所述复合基板上方的另一侧设置有电阻区，所述电阻区包括第一引线区和至少一个电阻单元；其中，每个电阻单元包括一个薄膜电阻和一个第二引线区；各个所述电阻单元首尾相连，且位于首部区域的电阻单元的薄膜电阻与所述第一引线区连接。本实用新型通过合理的射频电极和电阻区布局，能够简单高效地满足电吸收调制器所需的各种匹配电阻，显著降低产品开发的成本和周期。
本实用新型一种用于电吸收调制器的高速基板在权利要求书中公布了：1.一种用于电吸收调制器的高速基板，其特征在于，包括复合基板，所述复合基板上方的一侧设置有射频电极，所述射频电极通过金线与电吸收调制器的电极连接；所述复合基板上方的另一侧设置有电阻区，所述电阻区包括第一引线区和至少一个电阻单元；其中，每个电阻单元包括一个薄膜电阻和一个第二引线区；各个所述电阻单元首尾相连，且位于首部区域的电阻单元的薄膜电阻与所述第一引线区连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉国科光领半导体科技有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路1号楚天传媒生产基地二期1号楼1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励