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龙图腾网获悉佛山市南海区赛德声电子有限公司申请的专利一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制改进电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553318U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422872061.9，技术领域涉及：H03K19/094；该实用新型一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制改进电路是由孙磊;羊林设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制改进电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制改进电路，包括信号输入端、与信号输入端连接的控制信号处理模块、与控制信号处理模块连接的驱动模块、分别与驱动模块连接的第一MOSFET管及第二MOSFET管、与第一MOSFET管连接的第一取样电路、与第二MOSFET管连接的第二取样电路，以及分别与第一取样电路、第二取样电路和控制信号处理模块连接的反馈处理模块，第一取样电路包括第二三极管和第三三极管，第二三极管的基极依次通过第二二极管和第一二极管与第一MOSFET管的源极，第一MOSFET管的源极通过第四二极管与第二三极管的发射极连接，第二三极管的发射极通过第四电阻与第三三极管的基极连接，通过本实用新型提高取样精度，能够进一步提高保护效果及工作稳定性。

本实用新型一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制改进电路在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制改进电路，包括信号输入端1、与信号输入端1连接的控制信号处理模块6、与控制信号处理模块6连接的驱动模块2、分别与驱动模块2连接的第一MOSFET管Q1及第二MOSFET管Q4、与第一MOSFET管Q1连接的第一取样电路3、与第二MOSFET管Q4连接的第二取样电路4，以及分别与第一取样电路3、第二取样电路4和控制信号处理模块6连接的反馈处理模块5，其特征在于，所述第一取样电路3包括第二三极管Q2和第三三极管Q3，所述第二三极管Q2的基极通过第二电阻R2与第一MOSFET管Q1的漏极连接，第二三极管Q2的基极依次通过第二二极管D2和第一二极管D1与第一MOSFET管Q1的源极，所述第二二极管D2的负极端与第一二极管D1的负极端连接并且通过第三二极管D3与第二三极管Q2的集电极连接，所述第一二极管D1的负极端通过第一电阻R1与地线连接，第一MOSFET管Q1的漏极和第二三极管Q2的发射极均与第一正电源VH+连接，所述第一MOSFET管Q1的源极通过第四二极管D4与第二三极管Q2的发射极连接，所述第二三极管Q2的发射极通过第四电阻R4与第三三极管Q3的基极连接并且还通过第三电阻R3与地线连接，所述第三三极管Q3的基极通过第五电阻R5与第一正电源VH+连接，所述第三三极管Q3的发射极通过第六电阻R6与第一正电源VH+连接，所述第三三极管Q3的集电极与反馈处理模块5连接，所述第三三极管Q3的集电极还分别通过第七电阻R7和第一电容C1与地线连接。

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