武汉光谷创元电子有限公司张志强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉光谷创元电子有限公司申请的专利电容、埋电容电路板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107231747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710575274.7，技术领域涉及：H05K1/16；该发明授权电容、埋电容电路板及其制造方法是由张志强;张晓峰;宋红林;白四平设计研发完成，并于2017-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容、埋电容电路板及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电容、埋电容电路板及其制造方法。该电容包括：高介电常数聚合物复合材料层；离子注入层，该离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及金属层，其形成并覆盖于该离子注入层上。
本发明授权电容、埋电容电路板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容，其包括： 高介电常数聚合物复合材料层； 离子注入层，所述离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及 金属层，其形成并覆盖于所述离子注入层上； 所述电容还包括导体沉积层，所述导体沉积层覆盖于所述离子注入层上，且所述金属层覆盖于所述导体沉积层之上，所述导体沉积层包括等离子体沉积层和或磁控溅射沉积层，所述等离子体沉积层通过等离子体沉积方法使导电材料离子沉积而形成；所述磁控溅射沉积层通过磁控溅射方法使导电材料原子沉积而形成； 所述高介电常数聚合物复合材料层包括聚合物树脂和高介电常数颗粒； 所述聚合物树脂包括环氧树脂、BT树脂、双马来酰亚胺、氰酸酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚偏氟乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、耐高温聚丙烯、聚2，6萘二酸乙二酯、聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚苯醚中的一种或多种； 所述高介电常数颗粒包括无机陶瓷颗粒和或导电粒子； 所述无机陶瓷颗粒包括二氧化硅、钛酸钡、钛酸锶、锆钛酸铅、钛酸铅镧、锆酸铅镧、钽酸锶铋中的一种或多种； 所述导电粒子包括碳纳米管、碳黑、石墨粉体、Al、Al2O3、Ag、Ni中的一种或多种； 所述高介电常数颗粒占所述高介电常数聚合物复合材料层的重量百分比为80％以上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉光谷创元电子有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖开发区关东园路18号高科大厦10楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励