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龙图腾网获悉广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司申请的专利一种板级三维芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110126244.4，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种板级三维芯片封装结构及其制备方法是由崔成强;杨斌;罗绍根;匡自亮设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种板级三维芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种板级三维芯片封装结构的制备方法，包括：制备芯片封装用基底，并使其具有外露的第一重布线层；提供若干第一芯片组，倒装于第一重布线层上并进行塑封，形成第一塑封层；对第一塑封层开孔，形成位于每相邻两个第一芯片组之间的锥形槽以及位于其中一个第一芯片组远离另一个第一芯片组一侧的若干过孔，并使锥形槽和过孔分别延伸至第一重布线层；在第一塑封层表面、锥形槽的槽壁以及过孔的孔壁制作第二重布线层；提供若干第二芯片组，倒装于第二重布线层上并进行塑封，形成第二塑封层；制作电连接结构，将第一芯片组和第二芯片组电性引出。本发明有利于板级三维芯片封装结构的四周拓展及三维结构的导通，并能有效降低翘曲。

本发明授权一种板级三维芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种板级三维芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供玻璃载板，于所述玻璃载板的一侧贴覆临时键合胶，并在所述临时键合胶上制作第一种子层和第一重布线层，制得芯片封装用基底； 提供若干第一芯片组，将所述第一芯片组沾上纳米金属粉末并倒装于所述第一重布线层上之后，采用激光由所述玻璃载板远离所述第一芯片组的一面进行烧结，形成使所述第一芯片组的IO口与所述第一重布线层固定连接的金属连接层，然后再进行塑封，形成第一塑封层； 对所述第一塑封层进行开孔处理，形成位于每相邻两个所述第一芯片组之间的锥形槽以及位于其中一个所述第一芯片组远离另一个所述第一芯片组一侧的若干过孔，并使所述锥形槽和所述过孔分别延伸至所述第一重布线层； 在所述第一塑封层表面、所述锥形槽的槽壁以及所述过孔内制作第二重布线层； 提供若干第二芯片组，将所述第二芯片组倒装于所述第二重布线层上并进行塑封，形成第二塑封层； 通过制作电连接结构，将所述第一芯片组和所述第二芯片组的IO口电性引出。

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