半导体元件工业有限责任公司E·N·M·托伦蒂诺获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利使用银烧结制造的直接接合铜衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011543218.3，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权使用银烧结制造的直接接合铜衬底是由E·N·M·托伦蒂诺;S·克里南;F·J·卡尔尼设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用银烧结制造的直接接合铜衬底在说明书摘要公布了：本发明题为“使用银烧结制造的直接接合铜衬底”。本发明公开了一种直接接合铜DBC衬底，该DBC衬底包括：陶瓷片；第一引线框，该第一引线框设置在陶瓷片的第一侧上；第二引线框，该第二引线框设置在陶瓷片的第二侧上；和烧结接合部，该烧结接合部位于第一引线框与陶瓷片之间。陶瓷片是氧化铝片、氮化铝片、氮化硅片或氮化硼片中的至少一者。陶瓷片的表面被金属化，并且第一引线框被设置在陶瓷片的经金属化的表面上。第一引线框是导电金属迹线，并且第二引线框是导电金属迹线、固体金属片材、金属箔或由氮化硼、石墨或碳制成的导电片材中的一者。
本发明授权使用银烧结制造的直接接合铜衬底在权利要求书中公布了：1.一种用于制造直接接合铜DBC衬底的方法，包括： 将烧结前体材料层施加到陶瓷片的第一表面和第二表面中的每一者； 通过将第一引线框耦接在所述陶瓷片的第一表面上的所述烧结前体材料层上并将第二引线框耦接在所述陶瓷片的第二表面上的所述烧结前体材料层的第二表面上，使得所述陶瓷片被设置在所述第一引线框与所述第二引线框之间，从而组装直接接合铜衬底的前体组件； 将中间金属层直接设置在陶瓷片的第一表面和第二表面中的至少一者上，设置在陶瓷片与烧结前体材料层之间，烧结前体材料层由金属颗粒制成，所述中间金属层与陶瓷片和烧结前体材料层二者均直接接触，所述中间金属层具有与烧结前体材料层相互扩散的一部分；以及 将所述第一引线框和所述第二引线框烧结接合到所述陶瓷片以形成烧结接合的直接接合铜衬底。
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