意法半导体股份有限公司S·拉斯库纳获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110240820.8，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件是由S·拉斯库纳;P·巴达拉;A·巴西;M·G·萨吉奥;G·弗兰科设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件。一种用于制造基于SiC的电子器件的方法包括在衬底的正侧形成SiC的结构层。衬底具有沿一方向与正侧相对的背侧。电子器件的有源区域在结构层中形成，并且所述有源趋于被配置为在电子器件的使用期间生成或传导电流。第一电端子在结构层上形成并且中间层在衬底的背侧处形成。中间层通过激光束被加热用来生成局部加热，以有利于钛化合物的欧姆接触的形成。电子器件的第二电端子在中间层上被形成。
本发明授权具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造基于SiC的电子器件的方法，包括： 在碳化硅SiC衬底的正侧处形成具有第一导电性的SiC的结构层，所述衬底具有沿一方向与所述正侧相对的背侧； 在所述结构层中形成所述电子器件的有源区； 在所述有源区中形成多个掺杂区，所述多个掺杂区具有与所述第一导电性相反的第二导电性； 在所述多个掺杂区中形成多个金属欧姆接触； 在所述结构层上形成第一电端子； 在所述衬底的背侧处且在形成所述第一电端子后形成第一金属的中间层； 通过激光束局部地加热所述中间层的选择部分在1400℃至2600℃的温度范围内形成第一金属层的化合物，所述激光束的波长实质上等于310nm；和 在加热所述中间层的选择部分之后，在所述中间层上形成所述电子器件的第二电端子。
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