东京毅力科创株式会社张度获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利用于高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻的蚀刻和钝化气体组分的独立控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113632208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080024315.3，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权用于高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻的蚀刻和钝化气体组分的独立控制是由张度;蔡宇浩;王明美设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻的蚀刻和钝化气体组分的独立控制在说明书摘要公布了：描述了一种用于相对于氮化硅选择性等离子体蚀刻氧化硅的方法。该方法包括提供含有氧化硅膜和氮化硅膜的衬底，以及通过以下方式相对于该氮化硅膜选择性蚀刻该氧化硅膜：a1将该衬底暴露于含有碳、硫或碳和硫两者的等离子体激发的钝化气体，其中该等离子体激发的钝化气体不含氟或氢，以及b1将该衬底暴露于含有含氟气体的等离子体激发的蚀刻气体。该方法可以进一步包括在a1与b1之间的额外步骤a2：将该衬底暴露于含有氟碳气体、氢氟碳气体、氢氯碳气体、氢氯氟碳气体、或烃气体或其组合的等离子体激发的额外钝化气体。
本发明授权用于高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻的蚀刻和钝化气体组分的独立控制在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理方法，其包括： 提供含有氧化硅膜和氮化硅膜的衬底；以及 通过以下方式相对于该氮化硅膜选择性蚀刻该氧化硅膜： a1将该衬底暴露于含有碳且不含氟、含有硫且不含氟、含有碳和硫两者且不含氟、含有硫且不含氢或者含有碳和硫两者且不含氢的等离子体激发的钝化气体，以及 b1在通过该钝化气体在该衬底上形成钝化层之后，将该衬底暴露于含有含氟气体的等离子体激发的蚀刻气体。
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