赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司赵利芳获国家专利权
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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113911999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111183844.0，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种半导体器件器件及制作方法是由赵利芳;杨云春;郭鹏飞;陆原设计研发完成，并于2021-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及制作方法，该半导体器件包括：晶圆和导通结构，其中，在所述晶圆上设有环状盲孔，在所述环状盲孔中填充有金属导体，形成所述导通结构，所述环状盲孔的宽度与所述金属导体的热膨胀系数相关。该半导体器件极大地减小硅穿孔后的晶圆的残存应力，增加了硅穿孔后的晶圆的厚度，还节省了制作成本，优化了晶圆的硅穿孔结构，提高了硅穿孔后的晶圆的性能。
本发明授权一种半导体器件器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：晶圆和导通结构，其中，在所述晶圆上设有环状盲孔，在所述环状盲孔中填充有金属导体，形成所述导通结构，所述环状盲孔的宽度与所述金属导体的热膨胀系数相关；绝缘层，所述绝缘层位于在所述导通结构和所述环状盲孔的环壁之间； 以所述晶圆的热膨胀系数和所述金属导体的热膨胀系数相匹配为目标，即在硅穿孔技术中的金属填充工艺的难易度与TSV结构应力的控制间寻找平衡点，确定所述环状盲孔的宽度。
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