英飞凌科技股份有限公司R·克尼佩尔获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110879321.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体器件及其制造方法是由R·克尼佩尔;A·海因里希;T·沙夫;S·施瓦布设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开内容涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：提供半导体管芯；在半导体管芯上方布置电连接器，电连接器包括导电芯、布置在导电芯的第一侧上的吸收特征、以及布置在导电芯的与第一侧相对且面向半导体管芯的第二侧上的焊料层；以及通过用激光加热焊料层将电连接器焊接到半导体管芯上，其中，激光照射吸收特征，并且吸收的能量从吸收特征通过导电芯传递到焊料层。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括： 提供半导体管芯， 在所述半导体管芯上方布置电连接器，所述电连接器包括导电芯、布置在所述导电芯的第一侧上的吸收特征、以及布置在所述导电芯的与所述第一侧相对且面向所述半导体管芯的第二侧上的焊料层，以及 通过用激光加热所述焊料层将所述电连接器直接焊接到所述半导体管芯上， 其中，所述导电芯被配置为散热器，以用于在将所述电连接器直接焊接到所述半导体管芯上期间保护所述半导体管芯， 其中，所述激光照射所述吸收特征，并且吸收的能量从所述吸收特征通过所述导电芯传递到所述焊料层，并且 其中，所述吸收特征和所述焊料层包括不同的材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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