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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学申请的专利模拟方法、存储媒介及模拟装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114117982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110959518.8，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权模拟方法、存储媒介及模拟装置是由西口贤弥;桥诘保设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本模拟方法、存储媒介及模拟装置在说明书摘要公布了：提供模拟方法、存储媒介及模拟装置，即使在频率较低的情况下也获得优异的精度。使用半导体与绝缘体之间的界面包含伴随于向金属施加的电压的变化而将电子捕获及放出的多个离散性的界面态的C‑V特性模型，C‑V特性模型表示与电压的变化对应的第三电容，第三电容包括与形成于界面的耗尽层对应的第一电容、与多个离散性的界面态对应的第二电容、绝缘体的电容。计算与被施加于金属的第一电压对应的第一电容，根据由多个离散性的界面态中与第一电压对应的第一界面态放出的电子的量来计算第二电容，在计算第二电容时通过使第一电压阶段性地变化来使与该第一电压对应的第一界面态阶段性地变化。

本发明授权模拟方法、存储媒介及模拟装置在权利要求书中公布了：1.一种模拟方法，是对层叠构造的C-V特性进行模拟的方法，所述层叠构造具备半导体、所述半导体之上的绝缘体和所述绝缘体之上的金属， 所述进行模拟的方法使用所述层叠构造的C-V特性模型，该C-V特性模型在所述半导体与所述绝缘体之间的界面包含伴随于向所述金属施加的电压的变化而将电子捕获及放出的多个离散性的界面态， 所述C-V特性模型表示与所述电压的变化对应的第三电容， 所述第三电容包括与形成于所述界面的耗尽层对应的第一电容、与所述多个离散性的界面态对应的第二电容、所述绝缘体的电容， 所述第一电容和所述第二电容并联连接，并且所述绝缘体的电容与并联连接的所述第一电容和所述第二电容串联连接， 所述进行模拟的方法具有以下工序： 计算与被施加于所述金属的第一电压对应的所述第一电容；及 根据由所述多个离散性的界面态中与所述第一电压对应的第一界面态放出的电子的量来计算所述第二电容， 计算所述第二电容的工序具有通过使所述第一电压阶段性地变化来使与该第一电压对应的所述第一界面态阶段性地变化的工序。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学，其通讯地址为：日本大阪府大阪市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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