中国科学技术大学左成杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利二维材料异质结浮栅存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111327080.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权二维材料异质结浮栅存储器及其制备方法是由左成杰;苏子佳设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维材料异质结浮栅存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种二维材料异质结浮栅存储器，包括：栅层；绝缘层，覆盖在栅层上；多个浮栅层，形成在绝缘层上，多个浮栅层中的相邻两个之间有间隔；阻挡层，形成在多个浮栅层上；沟道层，形成在阻挡层上；电极层，包括多个源极和多个漏极，与每个间隔对应的沟道层上设置有源极或漏极，相邻两个漏极之间设置有一个源极；每个浮栅层包括允许存储电子和释放电子的允许状态，及禁止存储电子和释放电子的禁止状态；向栅层施加储存偏压，沟道层的电子隧穿进入处于允许状态的浮栅层，处于允许状态的浮栅层存储电子，处于禁止状态的浮栅层不存储电子；向栅层施加释放偏压，处于允许状态的浮栅层存储的电子隧穿回到沟道层，处于允许状态的浮栅层释放电子。
本发明授权二维材料异质结浮栅存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料异质结浮栅存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底为栅层； 绝缘层，覆盖在所述栅层上； 多个浮栅层，形成在所述绝缘层上，多个所述浮栅层中相邻两个所述浮栅层之间有间隔区域； 阻挡层，形成在所述多个浮栅层上； 沟道层，形成在所述阻挡层上，所述沟道层为二维半导体材料； 电极层，包括多个源极和多个漏极，与每个所述间隔区域对应的沟道层上设置有所述源极或所述漏极，相邻两个所述漏极之间设置有一个所述源极； 其中，每个所述浮栅层包括允许存储电子和释放电子的允许状态，以及禁止存储电子和释放电子的禁止状态； 在向栅层施加储存偏压的情况下，所述沟道层的电子隧穿进入所述允许状态的浮栅层，实现所述允许状态的浮栅层存储电子； 在向栅层施加释放偏压的情况下，所述允许状态的浮栅层存储的电子隧穿回到所述沟道层，实现所述允许状态的浮栅层释放电子。
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