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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利ZrCoSb基Half-Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111625105.2，技术领域涉及：H10N10/81；该发明授权ZrCoSb基Half-Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用是由朱铁军;熊博文;付晨光设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本ZrCoSb基Half-Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及热电材料，公开一种ZrCoSb基Half‑Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用，所述电极为CoSi2电极，与n型MxZr1‑x1‑yNbyCoSb或p型MaZr1‑aCoSb1‑bSnb经预压后进行放电等离子体烧结制备得到热电器件。本发明所选用的CoSi2电极具有近于纯金属的电导率且与ZrCoSb基Half‑Heusler合金热膨胀系数相近，用CoSi2电极连接ZrCoSb基Half‑Heusler合金材料制备的热电器件的接触电阻很小，低于1μΩ·cm2，界面电阻对器件性能的影响可忽略，有利于充分发挥热电材料的热电转换效率，可应用于热电池、冷却器等领域。

本发明授权ZrCoSb基Half-Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种热电器件，包括CoSi2电极和n型M0.6Zr0.40.88Nb0.12CoSb； 或，所述热电器件包括CoSi2电极和p型M0.5Zr0.5CoSb0.8Sn0.2，其中M为Hf和或Ti； 所述热电器件的制备方法包括步骤： 步骤1，按照化学计量比称量Co和Si金属块体，悬浮熔炼得到铸锭，再将铸锭球磨得到的粉末为CoSi2电极； 步骤2，将CoSi2电极涂覆与ZrCoSb基Half-Heusler热电材料表面，预压后进行放电等离子体烧结； 放电等离子体烧结的升温工艺为：以60~80℃min的速率升温至780-820℃，再以5~10℃min的速率升温至830-870℃，保温15~20min； 放电等离子体烧结的降温工艺为：以10~15℃min的速率降至200-300℃，随后随炉冷却； 放电等离子体烧结的加压工艺为：以7~10MPa加压至温度上升到580-620℃，随后在温度从580-620℃升至780-820℃过程中将压力上升加压至35~45MPa，在温度从780-820℃升至830-870℃过程中将压力上升至60~70MPa并保持15~20min； 放电等离子体烧结的降压工艺为：温度从830-870℃降至780-820℃过程中压力降至20~25MPa，在温度从780-820℃降至200-300℃过程中压力降至0MPa。

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