美光科技公司K·萨尔帕特瓦里获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有双晶体管垂直存储器单元及共享沟道区域的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080060547.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有双晶体管垂直存储器单元及共享沟道区域的存储器装置是由K·萨尔帕特瓦里;K·M·考尔道;D·V·N·拉马斯瓦米;刘海涛设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有双晶体管垂直存储器单元及共享沟道区域的存储器装置在说明书摘要公布了：一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：第一数据线，其位于所述设备的第一层级中；第二数据线，其位于所述设备的第二层级中；第一存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第三层级中，所述第一存储器单元包含耦合到所述第一数据线的第一晶体管及耦合于所述第一数据线与所述第一晶体管的电荷存储结构之间的第二晶体管；及第二存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第四层级中，所述第二存储器单元包含耦合到所述第二数据线的第三晶体管及耦合于所述第二数据线与所述第三晶体管的电荷存储结构之间的第四晶体管，所述第一晶体管与所述第三晶体管串联耦合于所述第一数据线与所述第二数据线之间。
本发明授权具有双晶体管垂直存储器单元及共享沟道区域的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 第一数据线，其位于所述设备的第一层级中； 第二数据线，其位于所述设备的第二层级中； 第一存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第三层级中，所述第一存储器单元包含耦合到所述第一数据线的第一晶体管及耦合于所述第一数据线与所述第一晶体管的电荷存储结构之间的第二晶体管；及 第二存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第四层级中，所述第二存储器单元包含耦合到所述第二数据线的第三晶体管及耦合于所述第二数据线与所述第三晶体管的电荷存储结构之间的第四晶体管，所述第一晶体管与所述第三晶体管串联耦合于所述第一数据线与所述第二数据线之间。
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