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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器系统封装结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111630406.4，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权存储器系统封装结构及制造方法是由曾心如;陈鹏;周厚德设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器系统封装结构及制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种存储器系统封装结构及其制造方法。其中，所述存储器系统封装结构包括：至少一个存储器芯片模制组件、存储器控制器、包封所述存储器芯片模制组件及所述存储器控制器的塑封层、以及再布线层；其中，每个所述存储器芯片模制组件包括堆叠的多个存储器管芯、包封所述多个存储器管芯的模制层以及一个或多个导电柱；所述导电柱从所述第一端延伸穿过所述模制层以至于所述导电柱的第二端能够设置在所述再布线层的第一表面上并与所述再布线层物理接触且电连接；所述存储器控制器的表面设置有引出焊盘，所述存储器控制器通过所述引出焊盘设置在所述再布线层的所述第一表面上并与所述再布线层电连接。

本发明授权存储器系统封装结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器系统封装结构，其特征在于，包括：至少一个存储器芯片模制组件、存储器控制器、包封所述存储器芯片模制组件及所述存储器控制器的塑封层、以及再布线层；其中， 每个所述存储器芯片模制组件包括堆叠的多个存储器管芯、包封所述多个存储器管芯的模制层以及一个或多个导电柱；所述导电柱的第一端设置至至少一个所述存储器管芯的键合焊盘上并与其电接触，所述导电柱从所述第一端延伸穿过所述模制层以至于所述导电柱的第二端能够设置在所述再布线层的第一表面上并与所述再布线层物理接触且电连接； 所述存储器控制器的表面设置有引出焊盘，所述存储器控制器通过所述引出焊盘设置在所述再布线层的所述第一表面上并与所述再布线层电连接； 所述至少一个存储器芯片模制组件包括第一存储器芯片模制组件和第二存储器芯片模制组件，所述存储器控制器位于所述第一存储器芯片模制组件和所述第二存储器芯片模制组件之间； 或者， 所述存储器系统封装结构包括一个存储器芯片模制组件，所述存储器控制器位于所述一个存储器芯片模制组件沿第一方向的一侧；其中，所述第一方向与所述多个存储器管芯堆叠的方向垂直。

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