爱思开海力士有限公司成象铉获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110404668.2，技术领域涉及：G11C11/4093；该发明授权半导体装置是由成象铉;吴星来;崔齐玹设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括：第一晶圆，其包括行解码器区域，在行解码器区域中在行方向和列方向上布置有多个传输晶体管；多个第一接合焊盘，其分别与多个传输晶体管联接并且被设置在行解码器区域中的第一晶圆的一个表面上的多个行中；以及多个第二接合焊盘，其设置在行解码器区域中的第一晶圆的一个表面上，其中，多个第二接合焊盘被设置在与多个第一接合焊盘不同的行中并且相对于多个第一接合焊盘在行方向上偏移。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 第一晶圆，所述第一晶圆包括行解码器区域，在所述行解码器区域中在行方向和列方向上布置有多个传输晶体管； 多个第一接合焊盘，所述多个第一接合焊盘分别与所述多个传输晶体管联接并且被设置在所述行解码器区域中的所述第一晶圆的一个表面上的多个行中；以及 多个第二接合焊盘，所述多个第二接合焊盘设置在所述行解码器区域中的所述第一晶圆的所述一个表面上， 其中，所述多个第二接合焊盘被设置在与所述多个第一接合焊盘不同的行中，并且相对于所述多个第一接合焊盘在所述行方向上偏移， 其中，所述第一晶圆还包括其中不设置所述传输晶体管的外围区域，并且其中，所述多个第二接合焊盘未设置在所述外围区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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