中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘睿获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011197435.1，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构的形成方法是由刘睿设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成若干相互分立的牺牲层和第一保护层，所述第一保护层位于所述牺牲层上，且相邻所述牺牲层之间具有第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一保护层的顶部和侧壁表面以及所述牺牲层的侧壁表面；去除所述第一开口底部表面和所述第一保护层顶部表面的掩膜材料层；去除所述第一保护层和所述牺牲层，在剩余所述掩膜材料层内形成第二开口；去除所述第一开口和第二开口暴露出的所述待刻蚀材料层，形成目标图形层。本发明提高了第二开口的图形精度，从而提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有待刻蚀材料层； 在所述待刻蚀材料层上形成牺牲材料层，对所述牺牲材料层进行氧化处理，形成第二保护材料层； 在所述第二保护材料层上形成第一保护材料层； 去除部分所述牺牲材料层、第二保护材料层以及第一保护材料层，在所述待刻蚀材料层上形成若干相互分立的牺牲层、第二保护层以及第一保护层，所述第二保护层位于所述牺牲层上，所述第一保护层位于所述第二保护层上，且相邻所述牺牲层之间具有第一开口； 在所述第一开口的底部和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一保护层的顶部和侧壁表面以及所述牺牲层和所述第二保护层的侧壁表面； 去除所述第一开口底部表面和所述第一保护层顶部表面的掩膜材料层； 去除所述第一保护层、第二保护层和所述牺牲层，在剩余所述掩膜材料层内形成第二开口； 去除所述第一开口和第二开口暴露出的所述待刻蚀材料层，形成目标图形层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励