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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210052052.8，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法是由诸葛飞;郭真真;胡令祥;伏兵设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法，包括提供光源的至少一个LED、一个忆阻器本体，及填充于LED与忆阻器本体间的绝缘层；所述LED与忆阻器本体垂直集成，且相邻的LED两两对准、忆阻器本体与相邻的LED对准。LED结构包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、N电极和P电极；忆阻器本体结构包括底电极层、介质层、顶电极层。LED制备方法为依次在衬底上生长缓冲层、N型层、发光层、P型层、N电极和P电极，然后进行填充、抛光，最后依次生长忆阻器的底电极层、介质层和顶电极层。本发明的自带光源的光电忆阻器，将自带光源LED和忆阻器无缝集成在一个器件上，利用LED发光实现忆阻器电导的调控。本发明的方法将有利于光电忆阻器后续的大规模集成。

本发明授权一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自带光源的光电忆阻器，其特征在于：所述自带光源为LED光源，所述光电忆阻器包括提供LED光源的至少两个LED、一个忆阻器本体，以及填充于相邻LED与忆阻器本体间的绝缘层； 所述LED与忆阻器本体为两两堆叠的垂直集成结构，且相邻的LED光源之间两两对准、忆阻器本体与相邻的LED光源对准； 所述LED还包括与其一对一匹配的驱动电路基板；所述驱动电路基板与所匹配的LED的N电极及P电极形成电连接； 所述忆阻器本体由下到上依次包括底电极层、介质层、顶电极层；其中所述底电极层及顶电极层的材料选自导电氧化物或金属，且为透光度大于50%的透明导电氧化物或厚度在10nm以下超薄金属； 相邻的LED之间采用胶键合； 所述填充于相邻LED与忆阻器本体间的绝缘层为氧化铝、氧化硅或氮化硅中的一种或多种、或者为选自聚酰亚胺PI、苯并环丁烯BCB或SU-8中的一种或多种的键合胶； 所述LED的结构包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、N电极和P电极； 所述LED为倒装结构。

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