中国科学院宁波材料技术与工程研究所朱小健获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551721B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049184.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法是由朱小健;张峥;吴柳;孙翠;段吉鹏;李润伟设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法，采用简单的平面忆阻器结构，工艺简单，并采用离子插层工艺，将第一离子和第二离子插入到介质层的范德瓦尔斯间隙，通过改变施加在忆阻器单元上的电场大小、方向产生不同的阻变现象，进而与生物突触可塑性变化过程中的多种离子共同作用的现象吻合，实现模拟生物突触中Ca2+和蛋白质离子的迁移行为。
本发明授权一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双离子调控的忆阻器单元，其特征在于，包括衬底1以及间隔设置在衬底1上的第一电极6和第二电极2，所述第一电极6和第二电极2之间插接有介质层4，所述介质层4具有范德瓦尔斯间隙，所述介质层4的范德瓦尔斯间隙中插设有第一离子5和第二离子3，所述第一电极6接地，所述第二电极2接入电压；所述第一离子5的迁移势垒大于第二离子3的迁移势垒；所述第一离子5为Mg2+，第二离子3为Li+，所述介质层4的材料为MoS2或MoSe2或MoTe2。
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