美光科技公司J·D·霍普金斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成式组合件和形成集成式组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111526448.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权集成式组合件和形成集成式组合件的方法是由J·D·霍普金斯;J·D·格林利设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成式组合件和形成集成式组合件的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含具有第一存储器区域、第二存储器区和处于所述第一存储器区和第二存储器区之间的中间区的集成式组合件。所述中间区具有邻近所述第一存储器区的第一边缘并且具有邻近所述第二存储器区的第二边缘。沟道材料柱布置于所述第一存储器区和第二存储器区内。导电柱布置于所述中间区内。经掺杂半导体材料处于所述中间区内并且被配置成具有沿着所述第一边缘的第一支脚区、沿着所述第二边缘的第二支脚区和与所述面板相邻的带状区的大体H形结构。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
本发明授权集成式组合件和形成集成式组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式组合件，其包括： 存储器区和与所述存储器区相邻的另一区； 布置于所述存储器区内的沟道材料柱，和布置于所述另一区内的柱； 源极结构，其耦合到所述沟道材料柱的下部区； 所述柱中的至少一些是导电柱，并且具有与逻辑电路系统耦合的下部区； 面板，其跨所述存储器区和所述另一区延伸，并且将第一存储器块区与第二存储器块区分开，其中所述第一存储器块区和所述第二存储器块区在所述存储器区内； 第一经掺杂半导体材料，其紧邻所述另一区内的所述面板且对一或多种蚀刻剂具有抗性； 第二经掺杂半导体材料，其紧邻所述存储器区内的所述面板； 所述第一经掺杂半导体材料不与所述导电柱电耦合；且 所述第二经掺杂半导体材料与所述沟道材料柱电耦合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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