苏州大学王明湘获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110110414.X，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法是由王明湘;陈乐凯;张冬利;王槐生设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种场效应晶体管器件及利用其改善短沟道效应和输出特性的方法，其中该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及远离有效沟道的等效源极和或等效漏极，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源极和或等效漏极连通源极区域和漏极区域以形成工作电流。
本发明授权场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管器件，包括有源层，其特征在于，所述有源层包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的沟道区域； 当器件开启时，所述沟道区域内形成有有效沟道以及远离所述有效沟道的等效源极和或等效漏极，所述场效应晶体管器件通过所述有效沟道、以及等效源极和或等效漏极连通所述源极区域和漏极区域以形成工作电流； 其中，所述沟道区域中形成有不连通所述源极区域和漏极区域的导电区； 当所述导电区与所述源极区域连通时，所述导电区构成所述等效源极；和或， 当所述导电区与所述漏极区域连通时，所述导电区构成所述等效漏极。
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