买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉法国原子能及替代能源委员会申请的专利选择性非易失性存储器器件及相关联的读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080086299.0，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权选择性非易失性存储器器件及相关联的读取方法是由加布里埃莱·纳瓦罗;安东尼·威尔迪设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本选择性非易失性存储器器件及相关联的读取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种选择性非易失性存储器器件1，所述选择性非易失性存储器器件包括第一电极3、第二电极4以及由有源材料制成的至少一个层2。器件1具有与两个电压阈值相关联的至少两个可编程存储器状态，并且还在其处于高阻性状态时提供选择性作用。

本发明授权选择性非易失性存储器器件及相关联的读取方法在权利要求书中公布了：1.一种选择性非易失性存储器器件1，包括： -第一电极3； -第二电极4； -由有源材料制成的至少一个层2，称为有源存储器层，设置在第一电极与第二电极之间； 所述选择性非易失性存储器器件1具有至少两个可编程存储器状态： -与用于有源层2的第一阈值电压Vth1相关联的第一可编程非易失性存储器状态，所述选择性非易失性存储器器件在所述第一可编程非易失性存储器状态中具有特征电压电流，使得一旦在第一电极和第二电极之间施加大于或等于Vth1的电压，所述选择性非易失性存储器器件就从高电阻状态切换到比高电阻状态低的电阻状态，并且当所施加的电压严格地小于Vth1时，所述选择性非易失性存储器器件返回到其高电阻状态，在所述选择性非易失性存储器器件的高电阻状态下通过所述选择性非易失性存储器器件的电流强度严格地小于10-7A； -与严格地大于第一阈值电压Vth1的第二阈值电压Vth2相关联的第二非易失性存储器状态，所述选择性非易失性存储器器件在所述第二非易失性存储器状态中具有特征电压电流，使得一旦在第一电极和第二电极之间施加大于或等于Vth2的电压，所述选择性非易失性存储器器件就从高电阻状态切换到比高电阻状态低的电阻状态，并且当所施加的电压严格地小于Vth2时，所述选择性非易失性存储器器件返回到其高电阻状态，在所述选择性非易失性存储器器件的电高阻状态下通过所述选择性非易失性存储器器件的电流强度严格地小于10-7A； 有源存储器层的材料由As2Te3合金和Ge3Se7合金的混合物制成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人法国原子能及替代能源委员会，其通讯地址为：法国巴黎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。