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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种柔性压电微加工超声换能器阵列设计与制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114890376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210227382.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种柔性压电微加工超声换能器阵列设计与制备方法是由蔡俊翔;罗智方;吴涛设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性压电微加工超声换能器阵列设计与制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种柔性压电微加工超声换能器阵列设计与制备方法，其特征在于，将N个柔性可塑型微超声换能器单元排列成阵列，相邻两个柔性可塑型微超声换能器单元由弯曲形状的互联结构连接在一起，该互联结构同时也是柔性可塑型微超声换能器单元之间互联的信号线，利用弯曲形状的互联结构，使得所述柔性压电微加工超声换能器阵列具有大幅度弯曲的功能。通过本发明提供的方法可以制备得到一种基于薄膜材料的柔性微机电系统MEMS超声换能器MUT阵列，其可用于低功耗的环境信号的检测和传感。

本发明授权一种柔性压电微加工超声换能器阵列设计与制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性压电微加工超声换能器阵列设计与制备方法，其特征在于，将N个柔性可塑型微超声换能器单元排列成阵列，N≥3，相邻两个柔性可塑型微超声换能器单元由弯曲形状的互联结构连接在一起，该互联结构同时也是柔性可塑型微超声换能器单元之间互联的信号线，利用弯曲形状的互联结构，使得所述柔性压电微加工超声换能器阵列具有大幅度弯曲的功能； 所述柔性可塑型微超声换能器单元采用以下步骤制备得到： 步骤1、准备一个SOIwafer； 步骤2、在SOIwafer上沉积一层可释放材料层一，然后通过刻蚀将可释放材料层一图形化成多边形形状，可释放材料层一可牺牲； 步骤3、在SOIwafer上未被可释放材料层一覆盖的部分沉积一层可释放材料层二，然后通过刻蚀将可释放材料层二图形化成多边形形状；可释放材料层二环绕可释放材料层一，其形状与可释放材料层一的形状相同，且厚度小于可释放材料层一的厚度；可释放材料层二可牺牲； 步骤4、在SOIwafer、可释放材料层一及可释放材料层二上沉积一层结构层；结构层中部形成凸起，凸起部分的形状及直径与可释放材料层二相同； 步骤5、在结构层的凸起部分边缘将结构层开孔至可释放材料层二； 步骤6、通过开孔，利用任何处理手段刻蚀掉可释放材料层一和可释放材料层二，并保留结构层，从而在结构层的层下形成空腔； 步骤7、利用任何手段密封步骤5形成的结构层上的开孔，形成开孔密封结构； 步骤8、在结构层中部凸起部分沉积底电极-压电-上电极层，底电极-压电-上电极层位于开孔密封结构之间； 步骤9、在底电极-压电-上电极层以及结构层上沉积一层金属互联层，金属互联层将底电极-压电-上电极层以及结构层位于底电极-压电-上电极层一侧的部分完全覆盖，结构层位于底电极-压电-上电极层另一侧的部分则未被金属互联层所覆盖；通过刻蚀将金属互联层图形化为任何形状； 步骤10、从表面刻蚀到SOIwafer的基底Si层并图形化； 步骤11、将SOIwafer的二氧化硅层以及基底Si层去除。

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