长江存储科技有限责任公司陆聪获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311390238.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统是由陆聪设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件稳定性较差的问题。半导体器件的制备方法包括：形成存储堆叠结构，存储堆叠结构包括叠层结构和多个沟道结构，多个沟道结构沿叠层结构的层叠方向贯穿叠层结构，每个沟道结构包括沟道部。在叠层结构沿层叠方向的一侧表面形成多个条形导电部，多个条形导电部沿相交于层叠方向的第一方向延伸，且多个条形导电部在第二方向上间隔排布。去除至少一个条形导电部中的部分，使条形导电部中保留的部分构成沿第一方向间隔排布的多个沟道接触部，沟道接触部与沟道部接触。上述半导体器件应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 形成存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括叠层结构和多个沟道结构，所述多个沟道结构沿所述叠层结构的层叠方向贯穿所述叠层结构，每个沟道结构包括沟道部； 在所述叠层结构沿所述层叠方向的一侧表面形成多个条形导电部，所述多个条形导电部沿相交于所述层叠方向的第一方向延伸，且所述多个条形导电部在第二方向上间隔排布，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述第二方向与所述层叠方向交叉； 去除至少一个条形导电部中的部分，使所述条形导电部中保留的部分构成沿所述第一方向间隔排布的多个沟道接触部，所述沟道接触部与所述沟道部接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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