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龙图腾网获悉上海爱廷电子科技有限公司申请的专利一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510172109.1，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法是由刘源;高伟设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体为一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法，包括以下步骤：S1、环基区工艺、S2、截止环工艺、S3、接触孔工艺、S4、铂溅射、S5、铂金掺杂失效抑制工艺、S6、金属化、S7、辐照处理、S8、背面减薄、S9、背金工艺，通过精确控制工艺步骤，特别是硼离子的注入剂量、铂金层的扩散条件以及电子辐照的综合应用，该方法能够确保FRD具有正向导通压降近似零温度或者正温度特性的优化表现，这种特性使得二极管在工作温度升高时，其正向导通压降能够保持在一个相对稳定的范围内，也可以随温度升高而提高，从而提高了并联器件的电流传导能力和热稳定性。

本发明授权一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法在权利要求书中公布了：1.一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、环基区工艺 在芯片高阻外延层上，通过光刻形成窗口，并采用高能离子注入技术注入硼离子； S2、截止环工艺 在芯片终端区域采用化学气相沉积技术淀积三氯氧磷，形成截止环； S3、接触孔工艺 通过光刻打开芯片的基区窗口，以便后续进行接触金属化处理； S4、铂溅射 在芯片的有源区使用溅射设备形成一层铂金层，所述铂金层厚度为300~500Å，所述铂金层用于实现后续的铂扩散处理； S5、铂金掺杂失效抑制工艺 将芯片置于高温环境860~930°C下，利用半导体专用扩散炉使铂原子扩散到Si外延层内部； S6、金属化 采用蒸发和光刻工艺，在芯片有源区形成金属层； S7、辐照处理 采用高能电子束穿透芯片，且电子束穿透参数为8~40KGy，并在280°C~350°C进行退火，所述高能电子束采用电子辐照技术进一步调节载流子寿命； S8、背面减薄 研磨芯片多余衬底材料，降低热阻； S9、背金工艺 采用蒸发技术在晶圆背面形成TiNiAg合金层。

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