西安电子科技大学王树龙获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种红外增强的单光子雪崩二极管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510212140.3，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种红外增强的单光子雪崩二极管器件是由王树龙;黄金;周浩;黎浏滔;严杏圆;陈思宇设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外增强的单光子雪崩二极管器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红外增强的单光子雪崩二极管器件，包括位于器件表面中心位置的P+光敏区，P+光敏区外侧包围P‑注入区，P‑注入区外侧包围深N阱，深N阱外侧包围P型衬底；所述P+光敏区、P‑注入区、深N阱和P型衬底上表面平齐；所述P+光敏区作为光敏面吸收光子，从表面处引出金属阳极，形成欧姆接触；P‑注入区中埋入一个P型电荷层，深N阱中埋入N埋层，N埋层位于P型电荷层下方，且所述P型电荷层和N埋层位于器件的中心位置；N埋层形成深度较深的主雪崩区。本发明能够有效提升硅基单光子雪崩二极管在近红外波段的探测效率。
本发明授权一种红外增强的单光子雪崩二极管器件在权利要求书中公布了：1.一种红外增强的单光子雪崩二极管器件，其特征在于，包括P型衬底106，在P型衬底106顶面下沉设置深N阱104，深N阱104顶面下沉设置P-注入区102，P-注入区102顶面下沉设置P+光敏区101，在深N阱104中位于P-注入区102下方设置有N埋层105，且N埋层105与P-注入区102和P型衬底106均不接触，在P-注入区102中位于P+光敏区101下方设置有P型电荷层103，且P型电荷层103与P+光敏区101和深N阱104均不接触； 在深N阱104中位于P-注入区102两侧设置N+区107，金属阴极110设置于N+区107，金属阳极109设置于P+光敏区101。
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