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龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利一种磁存储器件及存储信息方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120412677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510913990.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种磁存储器件及存储信息方法是由杨维;徐一博;李燊;林晓阳设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁存储器件及存储信息方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁存储器件及存储信息方法，存储信息方法包括：通过反铁磁层与铁磁自由层之间的交换耦合作用，生成交换偏置场；通过所述交换偏置场增强垂直磁矩的热稳定性；其中，所述垂直磁矩为信息存储的载体；对所述反铁磁层施加外加电荷电流，以生成面外自旋极化电流；通过所述面外自旋极化电流使所述垂直磁矩翻转，以存储信息。本发明可以大大提高磁存储器件的热稳定性和写入效率，简化磁化翻转过程，并降低系统复杂性与功耗，为下一代高密度、低功耗磁存储器件的发展提供技术支持。

本发明授权一种磁存储器件及存储信息方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器件的存储信息方法，其特征在于，包括： 通过反铁磁层与铁磁自由层之间的交换耦合作用，生成交换偏置场；所述反铁磁层与所述铁磁自由层的另一侧贴合设置；且材质为镜面对称性破缺的反铁磁材料； 通过所述交换偏置场增强垂直磁矩的热稳定性；其中，所述垂直磁矩为信息存储的载体； 对所述反铁磁层施加外加电荷电流，以生成面外自旋极化电流； 通过所述面外自旋极化电流使所述垂直磁矩翻转，以存储信息； 通过所述面外自旋极化电流使所述垂直磁矩翻转，包括： 通过所述面外自旋极化电流在铁磁自由层中生成自旋轨道矩； 通过所述自旋轨道矩使所述垂直磁矩翻转； 所述的存储信息方法，还包括： 通过不同方向的交换偏置场使得所述铁磁自由层在+z方向上的能量与-z方向上的能量不同，以生成不同的磁基态； 所述外加电荷电流的方向、所述面外自旋极化电流的极化方向与所述交换偏置场的方向为一一对应关系； 所述的存储信息方法，还包括： 通过控制所述外加电荷电流的方向使所述垂直磁矩进行确定性翻转； 所述通过控制所述外加电荷电流的方向使所述垂直磁矩进行确定性翻转，包括： 通过控制所述外加电荷电流的方向改变所述面外自旋极化电流的极化方向； 通过控制所述面外自旋极化电流的极化方向改变所述交换偏置场； 通过控制所述交换偏置场使所述垂直磁矩进行确定性翻转，具体地：交换偏置场的引入使得两个磁化方向能量存在差值，对于每个确定的场方向会有一个对应的磁化基态，因而可通过调控外加电荷电流的方向来改变交换偏置场方向，即通过交换偏置场将垂直磁矩方向与面外自旋极化电流的极化方向直接联系起来，通过改变电流方向以实现磁矩的确定性翻转。

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