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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利基于高导电石墨烯的高响应微型超级电容器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510455612.8，技术领域涉及：H01G11/84；该发明授权基于高导电石墨烯的高响应微型超级电容器的制备方法是由刘辉龙;陈任基;肖志文;杨宏作;陈云;陈新设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于高导电石墨烯的高响应微型超级电容器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于高导电石墨烯的高响应微型超级电容器的制备方法，方法包括：步骤S1、在表面改性后的衬底上制备氰酸酯薄膜；步骤S2、通过大尺寸光斑激光束照射氰酸酯薄膜，诱导氰酸酯薄膜形成烧结纳米粒子状形貌的高导电石墨烯薄膜；通过小尺寸光斑激光束对高导电石墨烯薄膜进行雕刻，得到高分辨率叉指电极；步骤S3、使用导电银浆将每个电容器两端贴上铜箔；设计对应的掩膜图形，并在掩膜图形的检测孔位及电解液涂覆区预留特定空间；步骤S4、对高分辨率叉指电极进行清洗烘干及抽真空处理，得到高响应微型超级电容器。本发明通过制备导电性能高的石墨烯薄膜，进而制造出高响应微型超级电容器，且制造成本低廉。

本发明授权基于高导电石墨烯的高响应微型超级电容器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高导电石墨烯的高响应微型超级电容器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤S1、提供一衬底，对所述衬底进行表面改性；在表面改性后的所述衬底上制备氰酸酯薄膜； 步骤S2、通过大尺寸光斑激光束照射所述氰酸酯薄膜，诱导所述氰酸酯薄膜形成烧结纳米粒子状形貌的高导电石墨烯薄膜；通过小尺寸光斑激光束对所述高导电石墨烯薄膜进行雕刻，得到高分辨率叉指电极； 步骤S3、使用导电银浆将每个电容器两端贴上铜箔；设计对应的掩膜图形，并在所述掩膜图形的检测孔位及电解液涂覆区预留特定空间；后对柔性掩膜进行表面图案化加工，并将掩膜贴于电容器上，贴合中需确保电极区域的所述电解液涂覆界面和所述检测孔完整暴露于掩膜开口区； 步骤S4、对所述高分辨率叉指电极进行清洗烘干；将凝胶电解质均匀涂覆在烘干后的所述高分辨率叉指电极上，并将涂覆有凝胶电解质的所述高分辨率叉指电极放置于真空腔体中进行抽真空处理，得到高响应微型超级电容器。

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