苏州湃矽科技有限公司;新加坡湃矽科技有限公司丁川洋获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州湃矽科技有限公司;新加坡湃矽科技有限公司申请的专利一种背向集成的垂直耦合器和光子集成芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223565926U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423033884.9，技术领域涉及：G02B6/122；该实用新型一种背向集成的垂直耦合器和光子集成芯片是由丁川洋;季梦溪;李显尧设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背向集成的垂直耦合器和光子集成芯片在说明书摘要公布了：本申请提供一种背向集成的垂直耦合器和光子集成芯片，该垂直耦合器包括沿相同的方向延伸的第一耦合波导和第二耦合波导，第一耦合波导包括脊波导，脊波导包括层叠的平板部和脊部,第二耦合波导位于平板部背向脊部的一侧；第一耦合波导沿其延伸方向具有相对的第一端和第二端,平板部包括渐变平板部，渐变平板部的波导宽度沿朝向第二端方向逐渐减小形成平板尖端；脊部包括渐变脊部，渐变脊部的波导宽度沿朝向第二端方向逐渐减小形成脊部尖端，平板尖端至第一端的距离大于脊部尖端至第一端的距离；第二耦合波导在第一耦合波导上的投影至少覆盖第一耦合波导第二端至渐变脊部的一部分，以将第一耦合波导内传输的光耦合至第二耦合波导内。
本实用新型一种背向集成的垂直耦合器和光子集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种背向集成的垂直耦合器，其特征在于，包括：第一耦合波导和第二耦合波导，所述第一耦合波导与所述第二耦合波导沿相同的方向延伸； 所述第一耦合波导包括脊波导，所述脊波导包括层叠的平板部和脊部,所述第二耦合波导位于所述平板部背向所述脊部的一侧； 所述第一耦合波导沿其延伸方向具有相对的第一端和第二端,所述平板部包括渐变平板部，所述渐变平板部的波导宽度沿朝向所述第二端的方向逐渐减小形成平板尖端；所述脊部包括渐变脊部，所述渐变脊部的波导宽度沿朝向所述第二端的方向逐渐减小形成脊部尖端，所述平板尖端至所述第一端的距离大于所述脊部尖端至所述第一端的距离； 所述第二耦合波导在所述第一耦合波导上的投影至少覆盖所述第一耦合波导的第二端至所述渐变脊部的一部分，以将所述第一耦合波导内传输的光耦合至所述第二耦合波导内。
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