芯恩(青岛)集成电路有限公司邢超获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利预热环结构及半导体设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223566582U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422792171.4,技术领域涉及:H01L21/67;该实用新型预热环结构及半导体设备是由邢超;王伟设计研发完成,并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本预热环结构及半导体设备在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种预热环结构及半导体设备,半导体设备包括反应腔、基座、预热环和进气口,基座设置于反应腔内,用于支撑晶圆,预热环围绕于基座的外侧边缘,进气口设置于反应腔一侧,用于沿第一方向注入气体;预热环包括沿第二方向间隔设置的第一热环体和第二热环体,第一热环体与第二热环体之间设置有支撑件,以使第一热环体和第二热环体固定连接,第二方向与第一方向交叉,以使进气口注入的气体穿过第一加热环和第二加热环之间的缝隙。本实用新型的双面预热的方式能够更均匀且更快地加热气体,减少因预热不均而导致的化学反应不均匀性,由于双层预热环能够更均匀地对反应气体进行预热,因此可以显著地提高预热效率、产品均匀性和产品良率。
本实用新型预热环结构及半导体设备在权利要求书中公布了:1.一种半导体设备的预热环结构,其特征在于: 半导体设备包括反应腔、基座、预热环和进气口,所述基座设置于所述反应腔内,用于支撑晶圆,所述预热环围绕于所述基座的外侧边缘,所述进气口设置于所述反应腔一侧,用于沿第一方向注入气体; 所述预热环包括沿第二方向间隔设置的第一热环体和第二热环体,所述第一热环体与所述第二热环体之间设置有支撑件,以使所述第一热环体和第二热环体固定连接,所述第二方向与所述第一方向交叉,以使所述进气口注入的气体穿过所述第一热环体和所述第二热环体之间的缝隙。
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