瑞能微恩半导体(上海)有限公司于斌斌获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞能微恩半导体(上海)有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223566609U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422839426.8，技术领域涉及：H01L23/04；该实用新型半导体器件是由于斌斌;沈鑫;乐聪设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件，该半导体器件包括外壳、基板以及光阻挡层，外壳内部形成容纳腔，外壳上开设有连通容纳腔与外界环境的通孔。基板连接于外壳并处于容纳腔内部，基板沿第一方向上一侧设置有芯片。光阻挡层在第一方向上处于基板上设置芯片且朝向通孔的一侧和容纳腔的内侧壁之间，光阻挡层在第一方向上投影至少部分覆盖芯片在第一方向上的投影。在本申请实施例中，该半导体器件能够减小其使用过程中的漏电流，从而减小半导体器件的功耗，提高半导体器件的性能以及可靠性，保证半导体器件的正常工作。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 外壳，所述外壳内部形成容纳腔，所述外壳开设有连通所述容纳腔和外界环境的通孔； 基板，所述基板连接于所述外壳并处于所述容纳腔内部，所述基板沿第一方向的一侧设置有芯片； 其中，所述半导体器件还包括光阻挡层，所述光阻挡层在所述第一方向上处于所述基板上设置所述芯片且朝向所述通孔的一侧和所述容纳腔的内侧壁之间，所述光阻挡层在所述第一方向上的投影至少部分覆盖所述芯片在所述第一方向上的投影。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞能微恩半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201500 上海市金山区金山工业区九工路1688弄6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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