合肥晶合集成电路股份有限公司张立治获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的版图结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223567992U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423116444.X,技术领域涉及:H10D89/10;该实用新型半导体器件的版图结构是由张立治;程洋;苏圣瀛设计研发完成,并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的版图结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供了一种半导体器件的版图结构,包括:功能区、隔离区和若干深沟槽辅助图形,其中隔离区包围功能区,隔离区包括部分重叠的深沟槽隔离区和浅沟槽隔离区,且深沟槽隔离区和浅沟槽隔离区均环绕功能区,若干深沟槽辅助图形位于浅沟槽隔离区中且至少位于深沟槽隔离区的一侧。本实用新型实现改善隔离区的刻蚀性能,使得隔离区的刻蚀面内各位置的刻蚀表现一致;并且若干深沟槽辅助图形位于浅沟槽隔离区中,不会对深沟槽隔离区的功能产生影响。
本实用新型半导体器件的版图结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件的版图结构,其特征在于,包括: 功能区; 隔离区,包围所述功能区,所述隔离区包括部分重叠的深沟槽隔离区和浅沟槽隔离区,且所述深沟槽隔离区和所述浅沟槽隔离区均环绕所述功能区; 若干深沟槽辅助图形,位于所述浅沟槽隔离区中且至少位于所述深沟槽隔离区的一侧。
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