弗萨姆材料美国有限责任公司H·斯里单达姆获国家专利权
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龙图腾网获悉弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于半导体应用的高纯度乙二胺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109476582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780045134.7，技术领域涉及：C07C211/10；该发明授权用于半导体应用的高纯度乙二胺是由H·斯里单达姆;S·H·迪默克;S·G·马约加;R·M·皮尔斯坦设计研发完成，并于2017-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体应用的高纯度乙二胺在说明书摘要公布了：公开了乙二胺EDA组合物和用于制备适用于薄膜半导体加工应用的EDA的方法。EDA经纯化以除去水和痕量金属。通过使液体通过在填充床中的3A型分子筛来实现低于约50重量ppm的水含量。通过蒸馏除去金属杂质，并将所得产物包装在特别地干燥的和任选地预调理的容器中。
本发明授权用于半导体应用的高纯度乙二胺在权利要求书中公布了：1.一种用于处理乙二胺的方法，所述方法包括在足以将乙二胺中水的量减少到少于50ppm的条件下使所述乙二胺与包含3A型沸石的分子筛接触；和在足以将痕量金属的量减少到少于100ppb的条件下蒸馏所述乙二胺，其中所述痕量金属选自铝、铬、铜、铁、镁、锰、钼、镍、钛和锌。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人弗萨姆材料美国有限责任公司，其通讯地址为：美国亚利桑那州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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