台湾积体电路制造股份有限公司钟汉邠获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109841682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811130484.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构的形成方法是由钟汉邠;彭治棠;包天一设计研发完成，并于2018-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供半导体结构与其形成方法。方法包括形成第一绝缘材料层于基板上的第一凸起结构与第二凸起结构之间的沟槽的一部分中，并在第一绝缘材料层上进行预处理工艺。方法亦包括在第一绝缘材料层上进行第一绝缘材料转换工艺，并形成第二绝缘材料层以覆盖沟槽中的第一绝缘材料层。此外，进行第一绝缘材料转换工艺之前的第一凸起部分与第二凸起部分的上侧部分之间的第一距离，不同于进行第一绝缘材料转换工艺之后的第一凸起部分与第二凸起部分的上侧部分之间的第二距离。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，包括： 形成一源极漏极结构于一基板上的一第一凸起结构与一第二凸起结构之间； 形成一第一绝缘材料层于该第一凸起结构与一第二凸起结构之间的一沟槽的一部分中以及该源极漏极结构上； 在该第一绝缘材料层上进行一预处理工艺； 在该第一绝缘材料层上进行一第一绝缘材料转换工艺，使该第一绝缘材料层中的硅-氮键与硅-氢键断裂并转换为硅-氧键； 形成一第二绝缘材料层以覆盖该沟槽中的该第一绝缘材料层；以及 形成一接点插塞穿过该第一绝缘材料层， 其中进行该第一绝缘材料转换工艺之前的该第一凸起结构的上侧部分与该第二凸起部分的上侧部分之间的一第一距离，不同于进行该第一绝缘材料转换工艺之后的该第一凸起结构的上侧部分与该第二凸起结构的上侧部分之间的一第二距离，以及 其中在进行该预处理工艺之前，该第一绝缘材料层的最顶部表面低于该第一凸起结构的上表面。
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