三星电子株式会社金尹熙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括覆盖钝化层的一部分的覆盖保护层的半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110718514B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910613820.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权包括覆盖钝化层的一部分的覆盖保护层的半导体芯片是由金尹熙;金润圣;裴秉文;沈贤洙设计研发完成，并于2019-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括覆盖钝化层的一部分的覆盖保护层的半导体芯片在说明书摘要公布了：提供一种能够承受诸如在制造过程中产生的裂缝等损坏的半导体芯片。根据本发明构思的半导体芯片包括：半导体衬底，其包括围绕裸片区域和所述裸片区域的裸片的周边的残余划片槽；钝化层，其覆盖所述半导体衬底上方的部分；覆盖保护层，其覆盖所述钝化层的一部分和所述裸片区域，覆盖保护层与覆盖所述残余划片槽的一部分的缓冲保护层一体形成，其中所述缓冲保护层包括与和所述半导体衬底的角部邻近的边缘的一部分接触的角部保护层，以及从所述角部保护层沿着所述残余划片槽延伸并与所述覆盖保护层接触的延伸保护层。
本发明授权包括覆盖钝化层的一部分的覆盖保护层的半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，包括： 半导体衬底，其包括至少部分地围绕具有裸片边缘的裸片区域的残余划片槽； 钝化层，其至少部分地覆盖所述半导体衬底；以及 覆盖保护层，其设置在所述钝化层的一部分和所述裸片区域上，其中，所述覆盖保护层与覆盖所述残余划片槽的一部分的缓冲保护层一体形成， 其中所述缓冲保护层包括：角部保护层，其与和所述半导体衬底的角部邻近的边缘的一部分接触；以及延伸保护层，其沿着从所述角部保护层的表面延伸的所述残余划片槽延伸，并且接触所述覆盖保护层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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