索尼半导体解决方案公司蛯子芳树获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利受光元件、测距模块和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110739318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910584523.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权受光元件、测距模块和电子设备是由蛯子芳树;闺宏司;佐野拓也设计研发完成，并于2019-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本受光元件、测距模块和电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种受光元件、测距模块和电子设备。受光元件包括片上透镜、配线层、以及设置在片上透镜和配线层之间的半导体层。半导体层包括：光电二极管；第一传输晶体管，其将在光电二极管中产生的电荷传输到第一电荷存储部；第二传输晶体管，其将在光电二极管中产生的电荷传输到第二电荷存储部；以及像素间分离部，其针对半导体层的深度方向上的至少一部分将相邻像素的半导体层彼此分开。配线层具有包括遮光构件的至少一层。遮光构件设置成在平面图中与光电二极管重叠。测距模块包括受光元件、光源和发光控制器。电子设备包括测距模块。根据本发明，能够改善传感器的特性。
本发明授权受光元件、测距模块和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种受光元件，其包括： 片上透镜； 配线层；以及 半导体层，所述半导体层布置在所述片上透镜和所述配线层之间， 其中，所述半导体层包括： 光电二极管； 第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将在所述光电二极管中产生的电荷传输到第一电荷存储部； 第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将在所述光电二极管中产生的电荷传输到第二电荷存储部；以及 像素间分离部，所述像素间分离部针对所述半导体层的深度方向上的至少一部分将相邻像素的所述半导体层彼此分离开， 所述配线层具有包括遮光构件的至少一层，并且 所述遮光构件被布置成在平面图中与所述光电二极管重叠。
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