清华大学;天津华海清科机电科技有限公司王同庆获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;天津华海清科机电科技有限公司申请的专利一种基板后处理装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110993524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910276267.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种基板后处理装置和方法是由王同庆;王剑;许振杰;路新春设计研发完成，并于2019-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基板后处理装置和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种基板后处理装置和方法，该装置包括：用于旋转基板的承载单元、向基板喷射流体的供给单元、流体收集单元以及环状挡板组件。挡板组件围绕承载单元设置且挡板组件内壁与基板边缘的距离设置成使得从该基板溅射至该挡板组件内壁的流体不会反溅至该基板表面。从而避免了从基板表面飞散的流体反溅而再次沾染基板造成的二次污染，改善了清洗效果。
本发明授权一种基板后处理装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种基板后处理装置，其特征在于，包括：用于旋转基板的承载单元、向所述基板喷射流体的供给单元、流体收集单元以及环状挡板组件； 所述挡板组件围绕所述承载单元设置，包括第一挡板，其具有平行于所述流体收集单元外壁的竖部以及分别从所述竖部的上部朝所述承载单元向上倾斜延伸的上斜部和朝所述承载单元向下倾斜延伸的下斜部； 所述流体收集单元包括至少两个同心设置的环形腔室，所述上斜部和所述下斜部将从所述基板溅射的流体引导至所述流体收集单元的第一腔室，所述竖部将从所述基板溅射的流体引导至所述流体收集单元的第二腔室，所述第一腔室位于所述第二腔室内侧； 所述挡板组件内壁与所述基板边缘的水平距离为30mm至100mm，在清洗时承载单元带动基板旋转的转速为300rpm至800rpm，以使得从该基板溅射至该挡板组件内壁的流体不会反溅至该基板表面。
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