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龙图腾网获悉芯思杰技术(深圳)股份有限公司申请的专利量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112636179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011606707.9，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器是由杨彦伟;刘宏亮;邹颜设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器在说明书摘要公布了：本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，量子阱层厚度小，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流，提高芯片传输速率。

本发明授权量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于：包括衬底、InP缓冲层、下渐变层组及多层量子阱层，所述InP缓冲层加工在衬底上，所述下渐变层组包括第一下渐变层及第二下渐变层，所述第一下渐变层通过MOCVD气象外延生长工艺加工在InP缓冲层上，所述第二下渐变层采用MBE磊晶工艺加工在第一下渐变层上，所述第一下渐变层厚度为50nm，所述第二下渐变层厚度为10nm，所述量子阱层为通过MBE分子束外延工艺交错生长InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，根据量子阱限制参数Γ的表达式为如下公式：Γ=2π2λ2ddwnra2-nrc2，λ为激射波长，d为有源区厚度，dw为单层量子阱厚度，nra为InAlGaAs材料的折射率，nrc为InAlAs材料的折射率，所述InAlAs量子阱层的数量为17层，所述InAlGaAs量子阱层数量为16层，所述InAlAs量子阱层与InAlGaAs量子阱层的厚度均为0.6nm。

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