长鑫存储技术有限公司江向红获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利膜层沉积装置及膜层沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112695303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911011931.0，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权膜层沉积装置及膜层沉积方法是由江向红设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本膜层沉积装置及膜层沉积方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置及膜层沉积方法。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。本发明一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。
本发明授权膜层沉积装置及膜层沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种膜层沉积装置，该膜层沉积装置沉积膜层时可使晶圆表面边缘区域的膜层厚度与中心区域的膜层厚度趋于一致，其特征在于，包括： 承载部，用于承载晶圆； 喷头，设置于所述承载部上方，用于向位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层，所述喷头朝向所述承载部的表面为喷射面，所述喷射面上具有多个喷孔，多个所述喷孔呈环状排列，形成多个喷射环，且多个所述喷射环沿所述喷射面的中心指向所述喷射面的边缘的方向依次嵌套； 遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度，所述遮蔽结构包括：若干个用于封闭若干个所述喷孔的遮蔽件以及连接并驱动所述遮蔽件朝向所述喷射面的边缘运动的驱动器，所述遮蔽件的材料为体积电阻率大于或等于1012Ω·m、相对介电系数小于或等于30的高阻陶瓷材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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